Hersteller Produktnummer:
CMLDM8120G TR PBFREE
Product Overview
Hersteller:
Central Semiconductor Corp
Teilenummer:
CMLDM8120G TR PBFREE-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 860mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-563
Inventar:
12000 Stück Neu Original Auf Lager
12791021
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CMLDM8120G TR PBFREE Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Central Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
860mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 950mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.56 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
200 pF @ 16 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-563
Paket / Koffer
SOT-563, SOT-666
Basis-Produktnummer
CMLDM8120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
CMLDM8120G DKR
CMLDM8120TR-DG
CMLDM8120DKR
CMLDM8120GDKR
CMLDM8120TR
CMLDM8120G TR-DG
CMLDM8120 CT-DG
CMLDM8120 DKR-DG
CMLDM8120 TR-DG
CMLDM8120G DKR-DG
1514-CMLDM8120GTRPBFREECT
CMLDM8120DKR-DG
CMLDM8120GCT
CMLDM8120GCT-DG
CMLDM8120GTR-DG
CMLDM8120 CT
CMLDM8120CT-DG
CMLDM8120 DKR
CMLDM8120 TR PBFREE
1514-CMLDM8120GTRPBFREETR
CMLDM8120GDKR-DG
CMLDM8120GTR
CMLDM8120G CT
CMLDM8120G CT-DG
CMLDM8120 TR
CMLDM8120CT
CMLDM8120G TR
1514-CMLDM8120GTRPBFREEDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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